Revista de Matemática: Teoría y Aplicaciones ISSN Impreso: 1409-2433 ISSN electrónico: 2215-3373

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Paralelización del modelo híbrido clásico-cuántico para un dispositivo semiconductor Mosfet Nanométrico
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Palabras clave

Parallelization
Shared memory paradigm
Schrödinger equation
Drift-Difusion system
Subband model
Nanotransistor
Paralelezación
Paradigma de Memoria Compartida
Ecuación de Schrödinger
Sistemas Drift-Difusion
Modelo Subband
Nanotubos

Cómo citar

Salas, O., Lanucara, P., Pietra, P., Rovida, S., & Sacchi, G. (2011). Paralelización del modelo híbrido clásico-cuántico para un dispositivo semiconductor Mosfet Nanométrico. Revista De Matemática: Teoría Y Aplicaciones, 18(2), 231–248. https://doi.org/10.15517/rmta.v18i2.2096

Resumen

El transformar un software secuencial en uno paralelo, es costoso y difícil, lo cual constituye solo dos de los muchos obstáculos técnicos y económicos que se tienen que enfrentar cuando se desea hacer uso de sistemas HPC. En este trabajo investigamos la posibilidad de mejorar de forma rápida y eficiente el desempeño de un código numérico secuencial que se encarga de realizar la simulación del comportamiento y transporte de un flujo de electrones en un dispositivo semiconductor MOSFET doble puerta y de escala nanométrico. Se  introduce el modelo Drift-Diffusion- Schrödinger-Poisson (DDSP) y se estudia una estrategia de paralelización rápida del procedimiento numérico, óptimo específicamente para arquitecturas a memoria compartida.

https://doi.org/10.15517/rmta.v18i2.2096
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Citas

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Derechos de autor 2011 Oscar Salas, Piero Lanucara, Paola Pietra, Sergio Rovida, Giovanni Sacchi

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